Logo

Tìm kiếm: bộ nhớ DRAM

Ổ cứng SSD PCIe 5.0 mới của Trung Quốc: UNIS S5 thách thức ngôi vương tốc độ
Ổ cứng SSD PCIe 5.0 mới của Trung Quốc: UNIS S5 thách thức ngôi vương tốc độ

Một nhà sản xuất Trung Quốc, UNIS (thuộc Tsinghua Unigroup), vừa giới thiệu dòng ổ cứng SSD PCIe 5.0 mới mang tên S5. Dòng sản phẩm này được kỳ vọng sẽ cạnh tranh mạnh mẽ cho danh hiệu ổ cứng SSD nhanh nhất trên thị trường. Theo UNIS, ổ cứng S5 có thể đạt tốc độ đọc tuần tự lên tới 14.9 GB/s. Nếu đúng, con số này sẽ vượt qua cả Crucial T705 và Samsung 9100 Pro, hai trong số những ổ cứng PCIe 5.0 nhanh nhất hiện nay.

Tác giả: Mai Ngọc Mai Ngọc
425
Trung Quốc ra mắt bộ nhớ
Trung Quốc ra mắt bộ nhớ "siêu tốc" cạnh tranh với Intel Optane

Trong bối cảnh các "ông lớn" như Intel và Micron đã tạm dừng phát triển bộ nhớ lưu trữ thế hệ mới (SCM) như Intel Optane, một công ty Trung Quốc có tên Numemory, hay còn gọi là Xincun Technology, bất ngờ giới thiệu một loại bộ nhớ tương tự.

Tác giả: Huyền Ngọc Huyền Ngọc
584
SK hynix Phát Triển Bộ Nhớ DRAM Mới Với Tốc Độ Cao Và Chi Phí Thấp
SK hynix Phát Triển Bộ Nhớ DRAM Mới Với Tốc Độ Cao Và Chi Phí Thấp

SK hynix, một trong những nhà sản xuất chip nhớ lớn nhất thế giới, đang phát triển một loại bộ nhớ DRAM mới kết hợp giữa băng thông rộng và chi phí thấp hơn so với các giải pháp HBM hiện tại. Loại bộ nhớ mới này sẽ sử dụng công nghệ đóng gói 2.5D fan-out và có thể được sử dụng cho các ứng dụng đồ họa hoặc di động.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
4304
Bộ trưởng Thương mại Trung Quốc gặp gỡ CEO Micron, thể hiện sự ủng hộ mở rộng hoạt động tại Trung Quốc
Bộ trưởng Thương mại Trung Quốc gặp gỡ CEO Micron, thể hiện sự ủng hộ mở rộng hoạt động tại Trung Quốc

Bộ trưởng Thương mại Trung Quốc Vương Văn Tháo đã có cuộc gặp với Sanjay Mehrotra, Giám đốc điều hành của Micron, bày tỏ sự ủng hộ đối với kế hoạch mở rộng hoạt động của công ty tại Trung Quốc. Tuy nhiên, hiện chưa có thông tin liệu Trung Quốc có dỡ bỏ lệnh cấm đối với các thiết bị nhớ của Micron được sử dụng cho PC của các cơ quan do nhà nước kiểm soát và cơ sở hạ tầng quan trọng hay không.

Tác giả: Linh Hương Linh Hương
3410
NVIDIA Đẩy nhanh việc ra mắt GPU Blackwell B100 sang Quý 2 năm 2024 do nhu cầu AI tăng cao
NVIDIA Đẩy nhanh việc ra mắt GPU Blackwell B100 sang Quý 2 năm 2024 do nhu cầu AI tăng cao

Theo báo cáo từ hãng truyền thông Hàn Quốc MT.co.kr, NVIDIA được cho là đã dời kế hoạch ra mắt GPU Blackwell B100 thế hệ tiếp theo từ quý 4 sang quý 2 năm 2024 do nhu cầu AI tăng cao đột biến. Công ty cũng dự kiến sẽ sử dụng bộ nhớ DRAM HBM3e từ SK Hynix cho các chip mới nhất của mình.

Tác giả: Minh Quân Minh Quân
2570
UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology
UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology

UltraRAM là một công nghệ bộ nhớ mới đang được phát triển bởi QuInAs Technology, một công ty được tách ra từ Khoa Vật lý của Đại học Lancaster (Anh). UltraRAM được thiết kế để kết hợp các ưu điểm của bộ nhớ flash (không biến động) và bộ nhớ DRAM (tốc độ cao).

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
2920
Chọn trang

NewSLiver

[email protected]

Hình ảnh

© newsliver.com. All Rights Reserved.

Tìm kiếm: bộ nhớ DRAM

Ổ cứng SSD PCIe 5.0 mới của Trung Quốc: UNIS S5 thách thức ngôi vương tốc độ
Ổ cứng SSD PCIe 5.0 mới của Trung Quốc: UNIS S5 thách thức ngôi vương tốc độ

Một nhà sản xuất Trung Quốc, UNIS (thuộc Tsinghua Unigroup), vừa giới thiệu dòng ổ cứng SSD PCIe 5.0 mới mang tên S5. Dòng sản phẩm này được kỳ vọng sẽ cạnh tranh mạnh mẽ cho danh hiệu ổ cứng SSD nhanh nhất trên thị trường. Theo UNIS, ổ cứng S5 có thể đạt tốc độ đọc tuần tự lên tới 14.9 GB/s. Nếu đúng, con số này sẽ vượt qua cả Crucial T705 và Samsung 9100 Pro, hai trong số những ổ cứng PCIe 5.0 nhanh nhất hiện nay.

Tác giả: Mai Ngọc Mai Ngọc
425
Trung Quốc ra mắt bộ nhớ
Trung Quốc ra mắt bộ nhớ "siêu tốc" cạnh tranh với Intel Optane

Trong bối cảnh các "ông lớn" như Intel và Micron đã tạm dừng phát triển bộ nhớ lưu trữ thế hệ mới (SCM) như Intel Optane, một công ty Trung Quốc có tên Numemory, hay còn gọi là Xincun Technology, bất ngờ giới thiệu một loại bộ nhớ tương tự.

Tác giả: Huyền Ngọc Huyền Ngọc
584
SK hynix Phát Triển Bộ Nhớ DRAM Mới Với Tốc Độ Cao Và Chi Phí Thấp
SK hynix Phát Triển Bộ Nhớ DRAM Mới Với Tốc Độ Cao Và Chi Phí Thấp

SK hynix, một trong những nhà sản xuất chip nhớ lớn nhất thế giới, đang phát triển một loại bộ nhớ DRAM mới kết hợp giữa băng thông rộng và chi phí thấp hơn so với các giải pháp HBM hiện tại. Loại bộ nhớ mới này sẽ sử dụng công nghệ đóng gói 2.5D fan-out và có thể được sử dụng cho các ứng dụng đồ họa hoặc di động.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
4304
Bộ trưởng Thương mại Trung Quốc gặp gỡ CEO Micron, thể hiện sự ủng hộ mở rộng hoạt động tại Trung Quốc
Bộ trưởng Thương mại Trung Quốc gặp gỡ CEO Micron, thể hiện sự ủng hộ mở rộng hoạt động tại Trung Quốc

Bộ trưởng Thương mại Trung Quốc Vương Văn Tháo đã có cuộc gặp với Sanjay Mehrotra, Giám đốc điều hành của Micron, bày tỏ sự ủng hộ đối với kế hoạch mở rộng hoạt động của công ty tại Trung Quốc. Tuy nhiên, hiện chưa có thông tin liệu Trung Quốc có dỡ bỏ lệnh cấm đối với các thiết bị nhớ của Micron được sử dụng cho PC của các cơ quan do nhà nước kiểm soát và cơ sở hạ tầng quan trọng hay không.

Tác giả: Linh Hương Linh Hương
3410
NVIDIA Đẩy nhanh việc ra mắt GPU Blackwell B100 sang Quý 2 năm 2024 do nhu cầu AI tăng cao
NVIDIA Đẩy nhanh việc ra mắt GPU Blackwell B100 sang Quý 2 năm 2024 do nhu cầu AI tăng cao

Theo báo cáo từ hãng truyền thông Hàn Quốc MT.co.kr, NVIDIA được cho là đã dời kế hoạch ra mắt GPU Blackwell B100 thế hệ tiếp theo từ quý 4 sang quý 2 năm 2024 do nhu cầu AI tăng cao đột biến. Công ty cũng dự kiến sẽ sử dụng bộ nhớ DRAM HBM3e từ SK Hynix cho các chip mới nhất của mình.

Tác giả: Minh Quân Minh Quân
2570
UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology
UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology

UltraRAM là một công nghệ bộ nhớ mới đang được phát triển bởi QuInAs Technology, một công ty được tách ra từ Khoa Vật lý của Đại học Lancaster (Anh). UltraRAM được thiết kế để kết hợp các ưu điểm của bộ nhớ flash (không biến động) và bộ nhớ DRAM (tốc độ cao).

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
2920
Chọn trang